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MJB41CT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G. 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJB41CT4G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

MJB41CT4G 数据手册 (6 页)

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MJB41CT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

极性

NPN, PNP

功耗

65 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

15 @3A, 4V

额定功率(Max)

2 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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MJB41CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJB41CT4G 符合标准

MJB41CT4G 海关信息

MJB41CT4G 概述

MJB41CT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.12 MByte

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