￥ 1

MJD112-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD112-001 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页 10 页

原理图在7 页

MJD112-001 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MJD112-001 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-251-3

极性

NPN

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

额定功率(Max)

1.75 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

查看数据手册 >

MJD112-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

6.35 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MJD112-001 符合标准

MJD112-001 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.14 MByte

MJD112-001 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

31 页 / 0.08 MByte

MJD112-001 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD112-001 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号