￥ 0

MJD112T4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD112T4 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页 10 页

原理图在7 页

MJD112T4 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MJD112T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-252-3

功耗

1750 mW

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

额定功率(Max)

20 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

查看数据手册 >

MJD112T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MJD112T4 符合标准

MJD112T4 海关信息

MJD112T4 概述

MJD112T4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.14 MByte

MJD112T4 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 0.26 MByte

MJD112T4 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD112T4 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

MJD112 数据手册

CJ（长电科技）

MJD112 编带

MJD112 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

MJD112 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

MJD112 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MJD112 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications

MJD112 数据手册

KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）

MJD112 数据手册

Luguang Electronic

MJD112 数据手册

Jiangsu Changjiang Electronics Technology

MJD112 数据手册

Continental Device

MJD112 数据手册

Samsung（三星）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号