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MJD112TF
0.226
MJD112TF 数据手册 (10 页)
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MJD112TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
1000 @2A, 3V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
25MHz (Min)
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD112TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.8 mm
高度
2.3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD112TF 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.55 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJD112 数据手册

CJ(长电科技)
MJD112 编带
ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Luguang Electronic
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Continental Device
Samsung(三星)
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