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MJD122 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD122 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

原理图在7 页

MJD122 数据手册 (8 页)

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MJD122 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

100 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-252-3

极性

NPN

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000

最大电流放大倍数

12000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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MJD122 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

最小包装数量

2500

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MJD122 符合标准

MJD122 海关信息

MJD122 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

MJD122 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.2 MByte

MJD122 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD122 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

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