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MJD122-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

互补功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD122-1 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

MJD122-1 数据手册 (8 页)

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MJD122-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

功耗

1.75 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

最小电流放大倍数

1000 @4A, 4V

最大电流放大倍数

12000

额定功率(Max)

20 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD122-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

7.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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MJD122-1 符合标准

MJD122-1 海关信息

MJD122-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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