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MJD200RLG
0.235
MJD200RLG 数据手册 (6 页)
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MJD200RLG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
65 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-252-3
极性
NPN
功耗
12.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
45 @2A, 1V
额定功率(Max)
1.4 W
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

MJD200RLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD200RLG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte

MJD200 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
Motorola(摩托罗拉)
ST Microelectronics(意法半导体)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
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