MJD200T4G

￥ 1.9

MJD200T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G 单晶体管双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD200T4G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在4 页 5 页

MJD200T4G 数据手册 (6 页)

6 技术参数、封装参数

或点击图片查看大图

MJD200T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

65 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-252-3

额定功率

1.4 W

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

12.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

25 V

集电极最大允许电流

5A

最小电流放大倍数

45 @2A, 1V

额定功率(Max)

1.4 W

直流电流增益(hFE)

70

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1400 mW

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MJD200T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MJD200T4G 符合标准

MJD200T4G 海关信息

MJD200T4G 概述

MJD200T4G 数据手册

MJD200T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.15 MByte

MJD200T4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.23 MByte

MJD200T4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.14 MByte

MJD200T4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.04 MByte

MJD200T4G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

MJD200T4 数据手册

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