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MJD210G
0.283
MJD210G 数据手册 (3 页)
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MJD210G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
65 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
-5.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
1.4 W
增益频宽积
65 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
热阻
10℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
45 @2A, 1V
额定功率(Max)
1.4 W
直流电流增益(hFE)
3
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

MJD210G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJD210G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte

MJD210 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
UTC(友顺)
Motorola(摩托罗拉)
ST Microelectronics(意法半导体)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD210G  单晶体管 双极, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD210RLG  双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
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