MJD2955T4G

￥ 0.271

MJD2955T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD2955T4G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页 6 页

MJD2955T4G 数据手册 (6 页)

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MJD2955T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

2 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.75 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

20 @4A, 4V

额定功率(Max)

1.75 W

直流电流增益(hFE)

5

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD2955T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD2955T4G 符合标准

MJD2955T4G 海关信息

MJD2955T4G 概述

MJD2955T4G 数据手册

MJD2955T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

MJD2955T4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.24 MByte

MJD2955T4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.12 MByte

MJD2955T4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.04 MByte

MJD2955T4G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

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