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MJD31CT4
0.273
MJD31CT4 数据手册 (8 页)
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MJD31CT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
10 @3A, 4V
额定功率(Max)
15 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

MJD31CT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD31CT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.07 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

MJD31 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用程序 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
NXP(恩智浦)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD31CRLG  双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD31CG  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
MJD31C 系列 NPN 100 V 3A 表面贴装 低电压 功率晶体管 - TO-252
ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD31CT4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD31C1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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