￥ 0

MJD350 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD350 数据手册 (5 页)

原理图在1 页

MJD350 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MJD350 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-300 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-252-3

极性

PNP

功耗

1.56 W

击穿电压(集电极-发射极)

300 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

最大电流放大倍数

240

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1560 mW

查看数据手册 >

MJD350 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

1.5 mm

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

MJD350 符合标准

MJD350 海关信息

MJD350 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

MJD350 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.11 MByte

MJD350 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号