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MJD350G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD350G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MJD350G 数据手册 (6 页)

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MJD350G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-300 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-252-3

针脚数

4 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

1.56 W

击穿电压(集电极-发射极)

300 V

热阻

8.33℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

30 @50mA, 10V

额定功率(Max)

1.56 W

直流电流增益(hFE)

240

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1560 mW

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MJD350G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD350G 符合标准

MJD350G 海关信息

MJD350G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

MJD350G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.07 MByte

MJD350G 开发手册

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6 页 / 0.13 MByte

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