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MJD42CT4G
0.274
MJD42CT4G 数据手册 (6 页)
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MJD42CT4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-6.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
6A
最小电流放大倍数
15 @3A, 4V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
20 W

MJD42CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJD42CT4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MJD42CT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD42CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFE
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