MJD45H11G

￥ 0.461

MJD45H11G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD45H11G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页 8 页

MJD45H11G 数据手册 (8 页)

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MJD45H11G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

90 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-8.00 A

封装

TO-252-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

热阻

6.25℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

8A

最小电流放大倍数

40 @4A, 1V

额定功率(Max)

1.75 W

直流电流增益(hFE)

60

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD45H11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MJD45H11G 符合标准

MJD45H11G 海关信息

MJD45H11G 概述

MJD45H11G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

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MJD45H11G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.12 MByte

MJD45H11G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD45H11G 开发手册

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13 页 / 0.34 MByte

MJD45H11G 产品修订记录

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MJD45H11G 其他参考文件

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ON SEMICONDUCTOR MJD45H11RLG 单晶体管双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE

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