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MJD47G
0.119
MJD47G 数据手册 (6 页)
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MJD47G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
1.56 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @300mA, 10V
额定功率(Max)
1.56 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15 W

MJD47G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD47G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.36 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.16 MByte

MJD47 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性D- PAK表面贴装应用 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Samsung(三星)
AVX(艾维克斯)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD47G  双极晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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