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MJD47T4
0.263
MJD47T4 数据手册 (6 页)
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MJD47T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
最小电流放大倍数
30 @300mA, 10V
最大电流放大倍数
150
额定功率(Max)
15 W
直流电流增益(hFE)
150
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

MJD47T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD47T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.11 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.11 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

MJD47 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性D- PAK表面贴装应用 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Samsung(三星)
AVX(艾维克斯)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD47G  双极晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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