￥ 1.474

MJE13003G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

SWITCHMODE TM系列NPN硅功率晶体管300和400伏40瓦 SWITCHMODE TM Series NPN Silicon Power Transistor 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJE13003G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

MJE13003G 数据手册 (8 页)

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MJE13003G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

400 V

额定电流

1.50 A

封装

TO-126-3

极性

NPN

功耗

1.40 W

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

集电极最大允许电流

1.5A

最小电流放大倍数

8 @500mA, 2V

额定功率(Max)

1.4 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1400 mW

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MJE13003G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Box

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJE13003G 符合标准

MJE13003G 海关信息

MJE13003G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.1 MByte

MJE13003G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.56 MByte

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