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MJE13005G
0.01
MJE13005G 数据手册 (7 页)
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MJE13005G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
2 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
热阻
1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
8 @2A, 5V
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
75000 mW

MJE13005G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJE13005G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE13005 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Central Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP  MJE13005  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 75 W, 4 A, 10 hFE
Motorola(摩托罗拉)
Solid State
SOLID STATE  MJE13005  双极性晶体管, NPN, 400V, TO-220
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
UTC(友顺)
NPN硅功率 晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application
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