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MJE15029G
1.105
MJE15029G 数据手册 (6 页)
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MJE15029G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-120 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
20 @4A, 2V
额定功率(Max)
50 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

MJE15029G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJE15029G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte

MJE15029 数据手册

Multicomp
MULTICOMP  MJE15029.  双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
8安培功率晶体管互补硅120-150伏, 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS
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Continental Device
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
Boca Semiconductor(博卡半导体)
Inchange Semiconductor
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