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MJE15030G
0.811
MJE15030G 数据手册 (6 页)
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MJE15030G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
热阻
2.5℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40
额定功率(Max)
50 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

MJE15030G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJE15030G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE15030 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8安培功率晶体管互补硅120-150伏, 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS
Multicomp
MULTICOMP  MJE15030  单晶体管 双极, 通用, NPN, 150 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 40 hFE
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NTE Electronics
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