￥ 0.654

MJE181G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJE181G. 射频双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJE181G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

MJE181G 数据手册 (4 页)

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MJE181G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

50 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

3.00 A

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

1.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

热阻

10℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

50 @100mA, 1V

额定功率(Max)

1.5 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

工作结温

-65℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

12500 mW

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MJE181G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

7.8 mm

高度

11.1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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MJE181G 符合标准

MJE181G 海关信息

MJE181G 概述

MJE181G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

MJE181G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.23 MByte

MJE181G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

MJE181G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 1.83 MByte

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