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MJE182STU
0.1
MJE182STU 数据手册 (4 页)
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MJE182STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
功耗
1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
50 @100mA, 1V
额定功率(Max)
1.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW

MJE182STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJE182STU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte

MJE182 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJE182  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE
ON Semiconductor(安森美)
MJE182G 盒装
Fairchild(飞兆/仙童)
低功耗音频放大器低电流高速开关应用 Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
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