￥ 0.32

MJE200G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJE200G 单晶体管双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJE200G 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

MJE200G 数据手册 (3 页)

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MJE200G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

65 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

15 W

增益频宽积

65 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

热阻

8.34℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

45 @2A, 1V

额定功率(Max)

15 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

15000 mW

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MJE200G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

7.8 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJE200G 符合标准

MJE200G 海关信息

MJE200G 概述

MJE200G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.07 MByte

MJE200G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.14 MByte

MJE200G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MJE200G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

MJE200G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 1.83 MByte

MJE200G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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