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MJE2955T
0.434
MJE2955T 数据手册 (4 页)
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MJE2955T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-10.0 A
封装
TO-220-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
75 W

MJE2955T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

MJE2955T 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.15 MByte

MJE2955 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
BJT PNP Silicon
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJE2955T  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJE2955TG  双极晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor(安森美)
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
UTC(友顺)
UTC PNP三极管
Fairchild(飞兆/仙童)
通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications
Fairchild(飞兆/仙童)
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