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MJH11019G
2.754
MJH11019G 数据手册 (10 页)
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MJH11019G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-200 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
150 W
击穿电压(集电极-发射极)
200 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
400 @10A, 5V
最大电流放大倍数
15000
额定功率(Max)
150 W
直流电流增益(hFE)
400
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

MJH11019G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
高度
12.2 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJH11019G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.45 MByte

MJH11019 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
15安培达林顿互补硅功率晶体管150〜250伏, 150瓦 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
Motorola(摩托罗拉)
New Jersey Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJH11019G.  双极性晶体管, PNP, -200V
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