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MJH11021G
3.491
MJH11021G 数据手册 (10 页)
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MJH11021G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
150 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
400 @10A, 5V
最大电流放大倍数
15000
额定功率(Max)
150 W
直流电流增益(hFE)
15
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
150 W

MJH11021G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.08 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJH11021G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte

MJH11021 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
New Jersey Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
PNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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