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MMBD352LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

肖特基二极管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBD352LT1G. 肖特基整流器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBD352LT1G 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

MMBD352LT1G 数据手册 (3 页)

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MMBD352LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

7.00 V

额定电流

10.0 A

电容

1 pF

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

正向电压

0.6 V

功耗

225 mW

热阻

556 ℃/W

正向电流

10 mA

正向电压(Max)

600 mV

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

225 mW

额定电压

35 V

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MMBD352LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.11 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBD352LT1G 符合标准

MMBD352LT1G 海关信息

MMBD352LT1G 概述

MMBD352LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.08 MByte

MMBD352LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MMBD352LT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBD352LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.11 MByte

MMBD352LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

MMBD352LT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

MMBD352LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MMBD352LT1 肖特基二极管 7V 10mA 600mV/0.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 M5G 低压降

Motorola（摩托罗拉）

Leshan Radio（乐山无线电）

Freescale（飞思卡尔）

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBD352LT1G. 肖特基整流器

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