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MMBD6050LT1G
0.013
MMBD6050LT1G 数据手册 (3 页)
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MMBD6050LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
额定电流
200 mA
电容
2.5 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
200 mA
针脚数
3 Position
正向电压
1.1 V
极性
Standard
功耗
225 mW
热阻
417℃/W (RθJA)
反向恢复时间
4 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
500 mA
正向电压(Max)
1.1 V
正向电流(Max)
0.2 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBD6050LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBD6050LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBD6050LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
开关二极管 Switching Diode
Leshan Radio(乐山无线电)
mmBD6050LT1 开关二极管 70V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 5A
Motorola(摩托罗拉)
Vishay Intertechnology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBD6050LT1G.  小信号二极管
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