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MMBD7000-E3-08
0.024
MMBD7000-E3-08 数据手册 (3 页)
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MMBD7000-E3-08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
正向电压
1.1 V
反向恢复时间
4 ns
最大反向电压(Vrrm)
100V
正向电流
200 mA
最大反向漏电流
3 uA
正向电压(Max)
1.1V @100mA
正向电流(Max)
0.2 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBD7000-E3-08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.43 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
3000

MMBD7000-E3-08 数据手册

VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.08 MByte

MMBD7000 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBD7000  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 2 A
ON Semiconductor(安森美)
MMBD 系列 350 mW 100 V 200 mA 表面贴装 小信号 二极管 - SOT-23
CJ(长电科技)
MMBD7000 编带
Diodes(美台)
双小信号开关二极管 DUAL SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
Infineon(英飞凌)
硅开关二极管阵列用于高速开关应用,根据AEC Q101标准 Silicon Switching Diode Array For high-speed switching applications Qualified according AEC Q101
Micro Commercial Components(美微科)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
General Semiconductor
Motorola(摩托罗拉)
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