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MMBF2201NT1G
器件3D模型
0.023
MMBF2201NT1G 数据手册 (4 页)
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MMBF2201NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
300 mA
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 mW
阈值电压
1.7 V
输入电容
45.0 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
300 mA
上升时间
2.5 ns
输入电容值(Ciss)
45pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
0.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

MMBF2201NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBF2201NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MMBF2201NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 300毫安, 20伏N沟道SC- 70 / SOT- 323 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBF2201NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 20 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
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