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MMBFJ175LT1G
0.077
MMBFJ175LT1G 数据手册 (2 页)
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MMBFJ175LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
-60.0 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
击穿电压
30.0 V
漏源极电阻
125 Ω
极性
P-Channel
功耗
225 mW
输入电容
11 pF
漏源极电压(Vds)
25.0 V
栅源击穿电压
30 V
击穿电压
30 V
输入电容值(Ciss)
11pF @10V(Vgs)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

MMBFJ175LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBFJ175LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.04 MByte

MMBFJ175LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MMBFJ175LT1 P沟道结型场效应管 25 V -7.0~-60.0mA SOT-23 marking/标记 6W
Motorola(摩托罗拉)
Allied Components
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ175LT1G.  晶体管, JFET, SOT-23封装
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