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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Diodes(美台) > MMBT2222A-7 Datasheet 文档
MMBT2222A-7
0.027
MMBT2222A-7 数据手册 (7 页)
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MMBT2222A-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.31 W
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT2222A-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
长度
3.05 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2222A-7 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.2 MByte

MMBT2222 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MMBT2222 M1B SOT-23 100-200
Motorola(摩托罗拉)
Diotec Semiconductor
LiteOn(光宝)
Leshan Radio(乐山无线电)
Nexperia(安世)
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