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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > MMBT2907ALT1 Datasheet 文档
MMBT2907ALT1
0.02
MMBT2907ALT1 数据手册 (9 页)
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MMBT2907ALT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
330 mW

MMBT2907ALT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Cut Tape (CT)

MMBT2907ALT1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.27 MByte

MMBT2907 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907.  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
CJ(长电科技)
MMBT2907 100~300 编带
SLKOR(韩国萨科微)
Motorola(摩托罗拉)
Freescale(飞思卡尔)
Comchip Technology(上华科技)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Diotec Semiconductor
Micro Commercial Components(美微科)
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