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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT4403WT1 Datasheet 文档
MMBT4403WT1
器件3D模型
0.02
MMBT4403WT1 数据手册 (7 页)
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MMBT4403WT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SC-70-3
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MMBT4403WT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm

MMBT4403WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.2 MByte

MMBT4403 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT4403  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
CJ(长电科技)
二极管
ON Semiconductor(安森美)
MMBT4403系列 40 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
Diodes(美台)
小信号晶体管( PNP ) SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
先科ST(先科)
MMBT4403 编带
Diotec Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
Micro Commercial Components(美微科)
UTC(友顺)
PNP 开关晶体管 PNP型通用放大器
Rectron Semiconductor
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