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MMBT5551L
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MMBT5551L 数据手册 (7 页)
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MMBT5551L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
80
最大电流放大倍数
250

MMBT5551L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
3000

MMBT5551L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

MMBT5551 数据手册

CJ(长电科技)
MMBT5551 G1 L档100-200 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
先科ST(先科)
二极管与整流器
Diotec Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
NPN三极管 集电极电流Ic(Max):600mA 功率:300mW 集射极击穿电压Vce(Max):160V 封装;SOT-23
NTE Electronics
Micro Commercial Components(美微科)
LiteOn(光宝)
Motorola(摩托罗拉)
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