￥ 0.013

MMBT5551LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMBT5551LT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MMBT5551LT1G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MMBT5551LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

0.225 W

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数

250

额定功率(Max)

225 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

MMBT5551LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MMBT5551LT1G 符合标准

MMBT5551LT1G 海关信息

MMBT5551LT1G 概述

MMBT5551LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

MMBT5551LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.05 MByte

MMBT5551LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

MMBT5551LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

MMBT5551LT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

MMBT5551LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)

MMBT5551LT1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MMBT5551LT1 数据手册

Micro Commercial Components（美微科）

Leshan Radio（乐山无线电）

SynSemi

DB Lectro

Jiangsu Changjiang Electronics Technology

MMBT5551LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号