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MMBT589LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBT589LT1 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

MMBT589LT1 数据手册 (6 页)

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MMBT589LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

SOT-23-3

极性

PNP

功耗

310 mW

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

710 mW

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MMBT589LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MMBT589LT1 符合标准

MMBT589LT1 海关信息

MMBT589LT1 概述

MMBT589LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

MMBT589LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

MMBT589LT1 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.14 MByte

MMBT589LT1 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

MMBT589 数据手册

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MMBT589 编带

MMBT589LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBT589LT1G 单晶体管双极, 低VCE(Sat), PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

MMBT589LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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MMBT589LT1 数据手册

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