MMBT589LT1G

￥ 0.04

MMBT589LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBT589LT1G 单晶体管双极, 低VCE(Sat), PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMBT589LT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

MMBT589LT1G 数据手册 (6 页)

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MMBT589LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

310 mW

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

1A

最小电流放大倍数

100 @500mA, 2V

额定功率(Max)

310 mW

直流电流增益(hFE)

40

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

710 mW

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MMBT589LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBT589LT1G 符合标准

MMBT589LT1G 海关信息

MMBT589LT1G 概述

MMBT589LT1G 数据手册

MMBT589LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

MMBT589LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.14 MByte

MMBT589LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.14 MByte

MMBT589LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

MMBT589LT1 数据手册

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