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MMBT6427LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistor(NPN Silicon)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBT6427LT1 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MMBT6427LT1 数据手册 (6 页)

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MMBT6427LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

500 mA

封装

SOT-23-3

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

20000 @100mA, 5V

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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MMBT6427LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBT6427LT1 符合标准

MMBT6427LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

MMBT6427LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

MMBT6427LT1 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBT6427LT1 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

MMBT6427LT1 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

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MMBT6427 数据手册

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单晶体管双极, 达林顿, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE

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ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

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