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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT6429LT1 Datasheet 文档
MMBT6429LT1
0.02
MMBT6429LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT6429LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
700 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
500 @100µA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT6429LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT6429LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte

MMBT6429 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MMBT6429 NPN三极管 55V 200mA/0.2A 100Mhz~700Mhz 500~1250 200mV/0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 M1L 放大器
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
Samsung(三星)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
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