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MMBT918LT1G
0.039
MMBT918LT1G 数据手册 (3 页)
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MMBT918LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
600 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
15.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
输入电容
2pF (Max)
增益频宽积
600 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
11 dB
最小电流放大倍数
20 @3mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT918LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT918LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT918LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE
Motorola(摩托罗拉)
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