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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > MMBTA14LT1HTSA1 Datasheet 文档
MMBTA14LT1HTSA1
0.136
MMBTA14LT1HTSA1 数据手册 (7 页)
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MMBTA14LT1HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
300 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
330 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.3A
最小电流放大倍数
20000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
330 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
330 mW

MMBTA14LT1HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

MMBTA14LT1HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

MMBTA14LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿放大器晶体管( NPN硅) Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Leshan Radio(乐山无线电)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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