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MMBTA56LT1HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBTA56LT1HTSA1 数据手册 (7 页)

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封装尺寸在6 页

MMBTA56LT1HTSA1 数据手册 (7 页)

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MMBTA56LT1HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-800 mA

封装

SOT-23-3

极性

PNP

功耗

0.33 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

100 @100mA, 1V

额定功率(Max)

330 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

330 mW

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MMBTA56LT1HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Last Time Buy

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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MMBTA56LT1HTSA1 符合标准

MMBTA56LT1HTSA1 海关信息

MMBTA56LT1HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.51 MByte

MMBTA56LT1HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 0.2 MByte

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