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MMBTA56-TP
0.015
MMBTA56-TP 数据手册 (4 页)
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MMBTA56-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

MMBTA56-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA56-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.24 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
8 页 / 0.26 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.11 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.13 MByte

MMBTA56 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA56  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
ON Semiconductor(安森美)
驱动晶体管( PNP硅) Driver Transistors(PNP Silicon)
CJ(长电科技)
MMBTA56 丝印2GM 100~400 编带
Diotec Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Diodes(美台)
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
MMBTA56 PNP三极管 -80V -500mA/-0.5A 50MHz 100 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 ANX 音频放大器
UTC(友顺)
PNP硅晶体管
Panjit(强茂)
Micro Commercial Components(美微科)
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