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MMBTA56WT1
器件3D模型
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MMBTA56WT1 数据手册 (5 页)
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MMBTA56WT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SC-70-3
极性
PNP
功耗
150 mW
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

MMBTA56WT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA56WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

MMBTA56 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA56  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
ON Semiconductor(安森美)
驱动晶体管( PNP硅) Driver Transistors(PNP Silicon)
CJ(长电科技)
MMBTA56 丝印2GM 100~400 编带
Diotec Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Diodes(美台)
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
UTC(友顺)
PNP硅晶体管
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
MMBTA56 PNP三极管 -80V -500mA/-0.5A 50MHz 100 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 ANX 音频放大器
Panjit(强茂)
Micro Commercial Components(美微科)
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