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MMBTA63LT1G
0.037
MMBTA63LT1G 数据手册 (2 页)
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MMBTA63LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
5000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
300 mW

MMBTA63LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA63LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBTA63LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE
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