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MMBTA64LT1
0.05
MMBTA64LT1 数据手册 (4 页)
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MMBTA64LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
20000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW

MMBTA64LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA64LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte

MMBTA64 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA64..  双极性晶体管, PNP, -30V
ON Semiconductor(安森美)
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
CJ(长电科技)
达林顿管 MMBTA64 2V SOT-23
National Semiconductor(美国国家半导体)
LiteOn(光宝)
Diodes(美台)
Micro Commercial Components(美微科)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
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