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MMBTA64LT1G
0.02
MMBTA64LT1G 数据手册 (4 页)
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MMBTA64LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
20000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
20000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
300 mW

MMBTA64LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA64LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBTA64LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA64LT1G  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE
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