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Datasheet 搜索 > 二极管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > MMBZ27VALT116 Datasheet 文档
MMBZ27VALT116
0.044
MMBZ27VALT116 数据手册 (10 页)
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MMBZ27VALT116 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
工作电压
22 V
封装
SOT-23-3
击穿电压
27 V
通道数
2 Channel
针脚数
3 Position
钳位电压
40 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
28.35 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
25.65 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBZ27VALT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

MMBZ27VALT116 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 1.4 MByte

MMBZ27 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VCLT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
40 W 40 V 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - SOT-23-3
ON Semiconductor(安森美)
40瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 22 V 48 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Diodes(美台)
MMBZ27VAL 系列 40 W 27 VBR 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Diodes(美台)
40 W 28.35 Vbr 40 Vcl 表面贴装 双 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 40 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW, MMBZ2 Series
ON Semiconductor(安森美)
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Diodes(美台)
MMBZ27VC 系列 40 W 27 V 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
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